MUNICH, Allemagne--(BUSINESS WIRE)--Panasonic Corporation a annoncé aujourd'hui que la société débuterait en novembre 2016 la production de masse d'une commande de porte à haute vitesse (AN34092B) ...

Notre transistor de puissance GaN de type classique est encapsulé dans un boîtier TO220 monté en surface et à haute diffusion thermique (taille : 15 x 9,9 x 4,6 mm) ; toutefois il ne suffit pas que le ...

Transphorm, Inc. a annoncé qu'elle fera la démonstration des résultats de R&D de son dispositif GaN 1200 volts lors du Symposium international sur les dispositifs et les circuits intégrés de ...

Ce wafer de 200 mm contient des composants électroniques latéraux en GaN fabriqués sur silicium. L'idée du projet Vertigo est de réaliser des transistors à géométrie verticale, pour gagner en densité.

Spin-off de la société Soitec et du CEA Tech créée en 2014 à Grenoble et Toulouse, Exagan conçoit et développe des transistors à base de nitrure de gallium qui permettent de multiplier par trois la ...

Toshiba vient de faire la dé-monstration d'un transistor de puissance en nitrure de gallium opérant dans la bande Ku (entre 12 et 18 GHz) avec une puissance record de 65,4 watts à la fréquence de 14,5 ...

Sans eux, la fée électricité perdrait l’essentiel de ses pouvoirs. Les convertisseurs alimentent ordinateurs, luminaires ou télévisions avec exactement ce qu’il faut de tension et de puissance. Ils ...

Teledyne e2v HiRel ajoute deux nouveaux HEMT (transistors à haute mobilité électronique) de puissance GaN renforcés à sa gamme de produits haute puissance de 650 volts à la pointe du secteur basée sur ...

- Favorise les économies d'espace et d'énergie pour les unités de conversion de puissance -. Panasonic Corporation a annoncé aujourd'hui que la société débuterait en novembre 2016 la production de ...

(Keystone-ATS) Dans les véhicules électriques ou les installations photovoltaïques, les convertisseurs entraînent d’importantes pertes d’énergie. Conçu à l’EPFL, un nouveau type de transistor permet ...